4月3日晚间，云南锗业发布实施高品质磷化铟单晶片建设项目公告。
据披露，公司董事会审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》，同意控股子公司云南鑫耀实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。项目计划总投资1.89亿元。
该项目计划由云南鑫耀在现有厂区租赁厂房，对原有产线进行适应性改造，新增主要工艺设备及公辅设施，在现有产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸计算，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。项目建设期为18个月，资金来源为自有资金及金融机构贷款。
经测算，上述项目内部收益率为49.51%，投资回收期为4.48年（含建设期）。同时，云南锗业提示：项目的经济效益测算是基于当前的市场状况，并不代表公司对该项目的业绩承诺，能否实现受项目的进展情况、宏观经济环境、市场变化及经营团队努力程度等诸多因素的影响，存在一定的不确定性。
谈及该次投资的目的，云南锗业阐述，磷化铟单晶片属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有电子迁移率高、抗辐射能力强、导热性好、禁带宽度高和高频光电转换效率优异等诸多优点，主要用于生产激光器、探测器芯片，是应用于数据中心、高速光模块、高功率激光器等领域的关键基础材料。近年来，随着光通信市场需求的快速增长，高速光模块已进入规模化部署阶段，下游厂商对于磷化铟单晶片的需求持续扩大，同时也对尺寸和品质提出了更高要求，公司现有产能已无法满足市场需求。公司拟通过本次项目投资，紧抓产业发展机遇，进一步扩大产能，提高工艺技术水平，加大关键核心技术的研发及成果转化，推动设备优化升级，提升产品质量和生产效率，从而更好地满足持续增长的市场需求。
公司认为，项目的实施是在现有产能基础上扩建，不会影响现有生产线的运行，不会对公司正常的生产经营造成重大不利影响。项目的实施能够满足当前客户需求并紧跟未来下游需求的趋势，对促进公司产业向深加工方向转型升级有积极意义，有利于进一步增强企业的核心竞争力和盈利能力，实现公司化合物半导体材料产业的高质量发展。
据今年1月30日的业绩预告，云南锗业预计2025年净利润为1500万元—2200万元，同比下降58.57%—71.75%。报告期内，受原材料市场平均价格上涨的影响，使得材料级锗产品、光纤级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）和化合物半导体材料的销售均价及单位成本均较上年同期上升配资指数，但单位成本的增长大于销售价格的增长。上述产品的销量、价格以及成本的变动使得公司本期营业收入增加但综合毛利率下降。
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